Справочник MOSFET. HCU60R260

 

HCU60R260 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCU60R260
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HCU60R260

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU60R260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  semihow
 hcu60r260.pdf pdf_icon

HCU60R260

Sep 2020HCU60R260600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 14.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.26 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 31 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switc

 8.1. Size:411K  semihow
 hcu60r580.pdf pdf_icon

HCU60R260

March 2021HCU60R580600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 7.0 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.58 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 14 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

Другие MOSFET... HCS90R1K6S , HCS90R300S , HCS90R450S , HCS90R800S , HCT70R1K1 , HCT70R910 , HCT80R850 , HCT90R1K4 , TK10A60D , HCU60R580 , HCU65R1K0 , HCU65R450 , HCU70R360 , HCU70R600 , HCU70R710 , HCU70R910 , HCU80R1K2 .

History: VSE090N10MS | BRCS3411MF | IXFR12N100F | APT20M16LFLLG | NCE65N260F | FMV10N80E | APT17M120JCU2

 

 
Back to Top

 


 
.