HCU65R1K0 - аналоги и даташиты транзистора

 

HCU65R1K0 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HCU65R1K0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HCU65R1K0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU65R1K0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  semihow
 hcu65r1k0.pdf pdf_icon

HCU65R1K0

April 2020HCU65R1K0650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 4.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

 8.1. Size:431K  semihow
 hcu65r450.pdf pdf_icon

HCU65R1K0

Sep 2020HCU65R450650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switch

Другие MOSFET... HCS90R450S , HCS90R800S , HCT70R1K1 , HCT70R910 , HCT80R850 , HCT90R1K4 , HCU60R260 , HCU60R580 , 12N60 , HCU65R450 , HCU70R360 , HCU70R600 , HCU70R710 , HCU70R910 , HCU80R1K2 , HCU80R1K4 , HCU90R1K0 .

History: STN2300A | AM30N25-270P | HCT80R850 | HCU65R450 | OSG65R650D | OSG65R650A

 

 
Back to Top

 


 
.