Справочник MOSFET. HCU65R450

 

HCU65R450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCU65R450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HCU65R450

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU65R450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  semihow
 hcu65r450.pdf pdf_icon

HCU65R450

Sep 2020HCU65R450650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switch

 8.1. Size:409K  semihow
 hcu65r1k0.pdf pdf_icon

HCU65R450

April 2020HCU65R1K0650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 4.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

Другие MOSFET... HCS90R800S , HCT70R1K1 , HCT70R910 , HCT80R850 , HCT90R1K4 , HCU60R260 , HCU60R580 , HCU65R1K0 , 4435 , HCU70R360 , HCU70R600 , HCU70R710 , HCU70R910 , HCU80R1K2 , HCU80R1K4 , HCU90R1K0 , HCU90R1K4 .

 

 
Back to Top

 


 
.