HCU65R450 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCU65R450  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HCU65R450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU65R450 даташит

 ..1. Size:431K  semihow
 hcu65r450.pdf pdf_icon

HCU65R450

Sep 2020 HCU65R450 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 9.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 20 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Switch

 8.1. Size:409K  semihow
 hcu65r1k0.pdf pdf_icon

HCU65R450

April 2020 HCU65R1K0 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 4.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.3 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Swit

Другие IGBT... HCS90R800S, HCT70R1K1, HCT70R910, HCT80R850, HCT90R1K4, HCU60R260, HCU60R580, HCU65R1K0, 5N65, HCU70R360, HCU70R600, HCU70R710, HCU70R910, HCU80R1K2, HCU80R1K4, HCU90R1K0, HCU90R1K4