HCU70R360 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCU70R360  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HCU70R360

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU70R360 даташит

 ..1. Size:412K  semihow
 hcu70r360.pdf pdf_icon

HCU70R360

August 2020 HCU70R360 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 11.6 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.36 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Sw

 8.1. Size:380K  semihow
 hcu70r600.pdf pdf_icon

HCU70R360

June 2019 HCU70R600 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 7.3 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 16 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Switch

 8.2. Size:431K  semihow
 hcu70r910.pdf pdf_icon

HCU70R360

April 2020 HCU70R910 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 5.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 11.2 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Sw

 8.3. Size:411K  semihow
 hcu70r710.pdf pdf_icon

HCU70R360

April 2020 HCU70R710 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 6.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.71 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 14 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HCT70R1K1, HCT70R910, HCT80R850, HCT90R1K4, HCU60R260, HCU60R580, HCU65R1K0, HCU65R450, IRF1010E, HCU70R600, HCU70R710, HCU70R910, HCU80R1K2, HCU80R1K4, HCU90R1K0, HCU90R1K4, HCW60R150