Справочник MOSFET. HCU70R360

 

HCU70R360 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCU70R360
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 26 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для HCU70R360

 

 

HCU70R360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  semihow
hcu70r360.pdf

HCU70R360
HCU70R360

August 2020HCU70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 11.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.36 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw

 8.1. Size:380K  semihow
hcu70r600.pdf

HCU70R360
HCU70R360

June 2019HCU70R600700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 7.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switch

 8.2. Size:431K  semihow
hcu70r910.pdf

HCU70R360
HCU70R360

April 2020HCU70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw

 8.3. Size:411K  semihow
hcu70r710.pdf

HCU70R360
HCU70R360

April 2020HCU70R710700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 6.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.71 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 14 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SRC65R600EC | CS7N60CU

 

 
Back to Top