Справочник MOSFET. HCU70R710

 

HCU70R710 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCU70R710
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.71 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HCU70R710

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU70R710 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  semihow
 hcu70r710.pdf pdf_icon

HCU70R710

April 2020HCU70R710700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 6.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.71 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 14 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

 8.1. Size:380K  semihow
 hcu70r600.pdf pdf_icon

HCU70R710

June 2019HCU70R600700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 7.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switch

 8.2. Size:431K  semihow
 hcu70r910.pdf pdf_icon

HCU70R710

April 2020HCU70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw

 8.3. Size:412K  semihow
 hcu70r360.pdf pdf_icon

HCU70R710

August 2020HCU70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 11.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.36 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCT80R850 , HCT90R1K4 , HCU60R260 , HCU60R580 , HCU65R1K0 , HCU65R450 , HCU70R360 , HCU70R600 , IRLZ44N , HCU70R910 , HCU80R1K2 , HCU80R1K4 , HCU90R1K0 , HCU90R1K4 , HCW60R150 , HCW60R190 , HCW60R290 .

History: PSMN015-110P

 

 
Back to Top

 


 
.