Справочник MOSFET. HCU70R710

 

HCU70R710 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCU70R710
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 16 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.71 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для HCU70R710

 

 

HCU70R710 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  semihow
hcu70r710.pdf

HCU70R710 HCU70R710

April 2020HCU70R710700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 6.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.71 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 14 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

 8.1. Size:380K  semihow
hcu70r600.pdf

HCU70R710 HCU70R710

June 2019HCU70R600700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 7.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switch

 8.2. Size:431K  semihow
hcu70r910.pdf

HCU70R710 HCU70R710

April 2020HCU70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw

 8.3. Size:412K  semihow
hcu70r360.pdf

HCU70R710 HCU70R710

August 2020HCU70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 11.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.36 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top