HCU80R1K2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HCU80R1K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.3 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 12 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: IPAK
HCU80R1K2 Datasheet (PDF)
hcu80r1k2.pdf
Sep 2020HCU80R1K2800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switc
hcu80r1k4.pdf
Sep 2020HCU80R1K4800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.0 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switch
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SIF4N65F
