HCU80R1K4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCU80R1K4  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HCU80R1K4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU80R1K4 даташит

 ..1. Size:409K  semihow
 hcu80r1k4.pdf pdf_icon

HCU80R1K4

Sep 2020 HCU80R1K4 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 4.0 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.1 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Switch

 6.1. Size:410K  semihow
 hcu80r1k2.pdf pdf_icon

HCU80R1K4

Sep 2020 HCU80R1K2 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching loss ID 4.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 10.3 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Switc

Другие IGBT... HCU60R580, HCU65R1K0, HCU65R450, HCU70R360, HCU70R600, HCU70R710, HCU70R910, HCU80R1K2, NCEP15T14, HCU90R1K0, HCU90R1K4, HCW60R150, HCW60R190, HCW60R290, HCW65R210, HCW65R320, HFA20N50U