Справочник MOSFET. HCU90R1K0

 

HCU90R1K0 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCU90R1K0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для HCU90R1K0

 

 

HCU90R1K0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  semihow
 hcu90r1k0.pdf

HCU90R1K0 HCU90R1K0

Apr. 2023HCU90R1K0900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

 6.1. Size:410K  semihow
 hcu90r1k4.pdf

HCU90R1K0 HCU90R1K0

Nov 2021HCU90R1K4900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 4.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top