HCU90R1K0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCU90R1K0  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HCU90R1K0

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU90R1K0 даташит

 ..1. Size:442K  semihow
 hcu90r1k0.pdf pdf_icon

HCU90R1K0

Apr. 2023 HCU90R1K0 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 5.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 13.7 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Swit

 6.1. Size:410K  semihow
 hcu90r1k4.pdf pdf_icon

HCU90R1K0

Nov 2021 HCU90R1K4 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 4.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 10.3 nC Application Package & Internal Circuit I-PAK SYMBOL Switc

Другие IGBT... HCU65R1K0, HCU65R450, HCU70R360, HCU70R600, HCU70R710, HCU70R910, HCU80R1K2, HCU80R1K4, AON7506, HCU90R1K4, HCW60R150, HCW60R190, HCW60R290, HCW65R210, HCW65R320, HFA20N50U, HFA24N50G