Справочник MOSFET. HCU90R1K0

 

HCU90R1K0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCU90R1K0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HCU90R1K0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU90R1K0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  semihow
 hcu90r1k0.pdf pdf_icon

HCU90R1K0

Apr. 2023HCU90R1K0900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit

 6.1. Size:410K  semihow
 hcu90r1k4.pdf pdf_icon

HCU90R1K0

Nov 2021HCU90R1K4900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 4.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switc

Другие MOSFET... HCU65R1K0 , HCU65R450 , HCU70R360 , HCU70R600 , HCU70R710 , HCU70R910 , HCU80R1K2 , HCU80R1K4 , IRFP250 , HCU90R1K4 , HCW60R150 , HCW60R190 , HCW60R290 , HCW65R210 , HCW65R320 , HFA20N50U , HFA24N50G .

History: IPW50R190CE | SVSP65R110SHD4 | HUF76113T3ST | APT6035BN | IXFX90N20Q | APT50M60JN | IRFU310

 

 
Back to Top

 


 
.