HFA20N50U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFA20N50U  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HFA20N50U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFA20N50U даташит

 ..1. Size:331K  semihow
 hfa20n50u.pdf pdf_icon

HFA20N50U

May 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFA20N50U ID = 20 A 500V N-Channel MOSFET TO-247 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

Другие IGBT... HCU80R1K4, HCU90R1K0, HCU90R1K4, HCW60R150, HCW60R190, HCW60R290, HCW65R210, HCW65R320, IRFP250, HFA24N50G, HFB1N60F, HFC2N60U, HFD1N60F, HFD1N60SA, HFD2N60F, HFD5N60F, HFD5N65SA