Справочник MOSFET. HFA20N50U

 

HFA20N50U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFA20N50U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HFA20N50U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFA20N50U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  semihow
 hfa20n50u.pdf pdf_icon

HFA20N50U

May 2014BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFA20N50U ID = 20 A500V N-Channel MOSFETTO-247FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

Другие MOSFET... HCU80R1K4 , HCU90R1K0 , HCU90R1K4 , HCW60R150 , HCW60R190 , HCW60R290 , HCW65R210 , HCW65R320 , STF13NM60N , HFA24N50G , HFB1N60F , HFC2N60U , HFD1N60F , HFD1N60SA , HFD2N60F , HFD5N60F , HFD5N65SA .

History: PHP33N10 | FDS6574A | FDT86113LZ | 2SK4085LS

 

 
Back to Top

 


 
.