HFA24N50G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFA24N50G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HFA24N50G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFA24N50G даташит

 ..1. Size:184K  semihow
 hfa24n50g.pdf pdf_icon

HFA24N50G

July 2015 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFA24N50G ID = 24 A 500V N-Channel MOSFET TO-247 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 110 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

Другие IGBT... HCU90R1K0, HCU90R1K4, HCW60R150, HCW60R190, HCW60R290, HCW65R210, HCW65R320, HFA20N50U, IRF1407, HFB1N60F, HFC2N60U, HFD1N60F, HFD1N60SA, HFD2N60F, HFD5N60F, HFD5N65SA, HFH9N90A