Справочник MOSFET. HFP2N60F

 

HFP2N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFP2N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.5 nC
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 37 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HFP2N60F

 

 

HFP2N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  semihow
 hfp2n60f hfs2n60f.pdf

HFP2N60F HFP2N60F

Oct 2016HFP2N60F / HFS2N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 2A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 3.6 100% Avalanche TestedQg, Typ 6.5 nC RoHS CompliantHFP2N60F HFS2N60FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unles

 7.1. Size:210K  shantou-huashan
 hfp2n60.pdf

HFP2N60F HFP2N60F

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP2N60 APPLICATIONSL TO-220 High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power DissipationTc=25

 7.2. Size:192K  semihow
 hfp2n60u.pdf

HFP2N60F HFP2N60F

Nov 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = HFP2N60U ID = 2 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower R

 7.3. Size:170K  semihow
 hfp2n60s.pdf

HFP2N60F HFP2N60F

March 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFP2N60SID = 2.0 A600V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 6.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top