HFP50N06A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFP50N06A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для HFP50N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP50N06A даташит

 ..1. Size:368K  semihow
hfp50n06a hfs50n06a.pdfpdf_icon

HFP50N06A

Oct 2016 HFP50N06A / HFS50N06A 60V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 60 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 50 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 18 100% Avalanche Tested Qg, Typ 27 nC RoHS Compliant HFP50N06A HFS50N06A Symbol TO-220 TO-220F S S

 6.1. Size:292K  shantou-huashan
hfp50n06.pdfpdf_icon

HFP50N06A

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 175 1 G Tj Operating Junction Temperature 150 2 D PD Allowable Power Dissipation

 6.2. Size:617K  shantou-huashan
hfp50n06v.pdfpdf_icon

HFP50N06A

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP50N06V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. DC/DC converters Low Power Switching mode power appliances. Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 50A, 60V(See Note), RDS(on)

Другие IGBT... HFD5N60F, HFD5N65SA, HFH9N90A, HFI50N06A, HFI5N50S, HFI5N60S, HFP2N60F, HFP4N60F, 8N60, HFP5N60F, HFP730F, HFP830F, HFS10N65JS, HFS10N80A, HFS12N65JS, HFS12N65SA, HFS18N50UT