Справочник MOSFET. HFS18N50UT

 

HFS18N50UT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS18N50UT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO220FT
 

 Аналог (замена) для HFS18N50UT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS18N50UT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  semihow
 hfs18n50ut.pdf pdf_icon

HFS18N50UT

June 2020BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50UT ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FTFEATURESOriginative New DesignSuperior Avalanche Rugged Technology123Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. SourceVery Low Intrinsic CapacitancesExcellent Switching CharacteristicsUnrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.)Extended Safe Operating AreaLower RDS(ON)

 5.1. Size:149K  semihow
 hfs18n50u.pdf pdf_icon

HFS18N50UT

Apr 2014BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SIHL640 | STH4N80 | STP30N06FI

 

 
Back to Top

 


 
.