HFS18N50UT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFS18N50UT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO220FT

Аналог (замена) для HFS18N50UT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS18N50UT даташит

 ..1. Size:834K  semihow
 hfs18n50ut.pdf pdf_icon

HFS18N50UT

June 2020 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFS18N50UT ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220FT FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 5.1. Size:149K  semihow
 hfs18n50u.pdf pdf_icon

HFS18N50UT

Apr 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

Другие IGBT... HFP50N06A, HFP5N60F, HFP730F, HFP830F, HFS10N65JS, HFS10N80A, HFS12N65JS, HFS12N65SA, IRFZ48N, HFS2N60F, HFS2N60FS, HFS3N80A, HFS4N60F, HFS4N60FS, HFS50N06A, HFS5N60F, HFS5N65JS