HFS2N60FS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFS2N60FS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220FS

Аналог (замена) для HFS2N60FS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS2N60FS даташит

 ..1. Size:356K  semihow
 hfs2n60fs.pdf pdf_icon

HFS2N60FS

Oct 2016 HFS2N60FS 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 2A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 3.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 6.5 nC Single Gauge Package TO-220FS Symbol S D G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Symbol Paramete

 6.1. Size:391K  semihow
 hfp2n60f hfs2n60f.pdf pdf_icon

HFS2N60FS

Oct 2016 HFP2N60F / HFS2N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 2A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 3.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 6.5 nC RoHS Compliant HFP2N60F HFS2N60F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unles

 7.1. Size:150K  semihow
 hfs2n60.pdf pdf_icon

HFS2N60FS

July 2005 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS2N60 ID = 2.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 9.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS

 7.2. Size:163K  semihow
 hfs2n60s.pdf pdf_icon

HFS2N60FS

March 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS2N60S ID = 2.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 6.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFP730F, HFP830F, HFS10N65JS, HFS10N80A, HFS12N65JS, HFS12N65SA, HFS18N50UT, HFS2N60F, IRF830, HFS3N80A, HFS4N60F, HFS4N60FS, HFS50N06A, HFS5N60F, HFS5N65JS, HFS5N65SA, HFS730F