Справочник MOSFET. HFS8N65JS

 

HFS8N65JS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS8N65JS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220FS
 

 Аналог (замена) для HFS8N65JS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS8N65JS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  semihow
hfs8n65js.pdfpdf_icon

HFS8N65JS

Mar. 2023HFS8N65JS650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 7.2 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 1.04 100% Avalanche TestedQg, Typ 25.3 nC RoHS CompliantTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum

 7.1. Size:307K  semihow
hfs8n65u.pdfpdf_icon

HFS8N65JS

March 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS8N65U ID = 7.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 7.2. Size:249K  semihow
hfs8n65s.pdfpdf_icon

HFS8N65JS

Sep 2009BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 1.16 HFS8N65SID = 7.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ ) E

 7.3. Size:736K  semihow
hfs8n65sa.pdfpdf_icon

HFS8N65JS

August 2022BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 1.16 HFS8N65SAID = 7.2 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 21 nC (Typ.) Extended Safe O

Другие MOSFET... HFS5N60F , HFS5N65JS , HFS5N65SA , HFS730F , HFS730S , HFS7N80A , HFS830F , HFS8N60UA , IRFP064N , HFS8N65SA , HFS9N90A , HFT1N60F , HFU1N60F , HFU1N60S , HFU1N60SA , HFU2N60F , HFU2N60S .

History: TMPF12N60A

 

 
Back to Top

 


 
.