HFT1N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HFT1N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HFT1N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFT1N60F даташит

 ..1. Size:188K  semihow
 hft1n60f.pdf pdf_icon

HFT1N60F

Oct 2016 HFT1N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 1A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche Tested Qg, Typ 3.7 nC RoHS Compliant SOT-223 Symbol S D G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value U

 7.1. Size:302K  semihow
 hft1n60s.pdf pdf_icon

HFT1N60F

Dec 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFT1N60S ID = 0.2 A 600V N-Channel MOSFET SOT-223 2 FEATURES 3 Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

Другие IGBT... HFS730F, HFS730S, HFS7N80A, HFS830F, HFS8N60UA, HFS8N65JS, HFS8N65SA, HFS9N90A, IRF3205, HFU1N60F, HFU1N60S, HFU1N60SA, HFU2N60F, HFU2N60S, HFU2N60U, HFU4N50, HFU5N40