Справочник MOSFET. HFT1N60F

 

HFT1N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFT1N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HFT1N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFT1N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  semihow
 hft1n60f.pdf pdf_icon

HFT1N60F

Oct 2016HFT1N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 1A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.7 nC RoHS CompliantSOT-223 SymbolSDGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value U

 7.1. Size:302K  semihow
 hft1n60s.pdf pdf_icon

HFT1N60F

Dec 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFT1N60SID = 0.2 A600V N-Channel MOSFETSOT-2232FEATURES3 Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.