Справочник MOSFET. HFU2N60F

 

HFU2N60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFU2N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 37 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HFU2N60F

 

 

HFU2N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  semihow
hfu2n60f hfd2n60f.pdf

HFU2N60F
HFU2N60F

May 2017 HFU2N60F / HFD2N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 2 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 3.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 6.5 nC RoHS Compliant HFU2N60F HFD2N60F Symbol TO-251 TO-252 D S S G D G Ab

 7.1. Size:211K  shantou-huashan
hfu2n60.pdf

HFU2N60F
HFU2N60F

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU2N60 APPLICATIONSL TO-251 High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power DissipationTc=25

 7.2. Size:381K  semihow
hfd2n60u hfu2n60u.pdf

HFU2N60F
HFU2N60F

June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 4 HFD2N60U / HFU2N60U ID = 1.8 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD2N60U HFU2N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 5.5 nC (T

 7.3. Size:230K  semihow
hfd2n60s hfu2n60s.pdf

HFU2N60F
HFU2N60F

March 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD2N60S / HFU2N60SID = 1.9 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD2N60S HFU2N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 6.0 nC

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N65KL-TM3-T

 

 
Back to Top