HRA40N08K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRA40N08K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HRA40N08K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRA40N08K даташит

 ..1. Size:172K  semihow
 hra40n08k.pdf pdf_icon

HRA40N08K

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 3 HRA40N08K ID = 180 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-247 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 190nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 3 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested

Другие IGBT... HFU5N50S, HFU5N50U, HFU5N60F, HFU5N60S, HFU5N60U, HFU5N65SA, HFW50N06A, HFW840, IRF3710, HRA45N08K, HRD120N10K, HRD180N10K, HRD50N06K, HRD72N06K, HRD80N06K, HRD85N08K, HRF120N10K