HRA40N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HRA40N08K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 190 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO247
HRA40N08K Datasheet (PDF)
hra40n08k.pdf

December 2014BVDSS = 80 VRDS(on) typ = 3 HRA40N08K ID = 180 A80V N-Channel Trench MOSFETTO-247FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 190nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested
Другие MOSFET... HFU5N50S , HFU5N50U , HFU5N60F , HFU5N60S , HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A , HFW840 , P55NF06 , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1003TTL | JMSH1003TF | JMSH1003TE | JMSH1003TC | JMSH1003NG | JMSH1003NE7 | JMSH1003NE | JMSH1003NC | JMSH1003ATLQ | JMSH1003ATL | JMSH1003AGWQ | JMSH1003AGQ | JMSH1003AG | JMSH1003AE7Q | JMSH0401PTSQ | JMSH0401PTS
Popular searches
2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent