HRD120N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRD120N10K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для HRD120N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD120N10K даташит

 ..1. Size:267K  semihow
 hrd120n10k hru120n10k.pdf pdf_icon

HRD120N10K

Sep 2015 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 10 HRD120N10K / HRU120N10K ID = 73 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD120N10K HRU120N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 65 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие IGBT... HFU5N60F, HFU5N60S, HFU5N60U, HFU5N65SA, HFW50N06A, HFW840, HRA40N08K, HRA45N08K, AON6414A, HRD180N10K, HRD50N06K, HRD72N06K, HRD80N06K, HRD85N08K, HRF120N10K, HRF130N06K, HRF140N06K