HRD120N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRD120N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRD120N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRD120N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD120N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  semihow
 hrd120n10k hru120n10k.pdf pdf_icon

HRD120N10K

Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 10 HRD120N10K / HRU120N10K ID = 73 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD120N10K HRU120N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 65 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие MOSFET... HFU5N60F , HFU5N60S , HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A , HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , IRFB4110 , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K .

History: BLP023N10-B | BLP02N06-D | 2SK615 | VSA007N02KD | 2SK2272-01R | 2SK630 | KMB8D0P30Q

 

 
Back to Top

 


 
.