Справочник MOSFET. HRD180N10K

 

HRD180N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRD180N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRD180N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD180N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  semihow
 hrd180n10k hru180n10k.pdf pdf_icon

HRD180N10K

Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ =15 HRD180N10K / HRU180N10K ID = 65 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD180N10K HRU180N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2N7271R | AOTF22N50

 

 
Back to Top

 


 
.