HRD180N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRD180N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRD180N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRD180N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD180N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  semihow
 hrd180n10k hru180n10k.pdf pdf_icon

HRD180N10K

Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ =15 HRD180N10K / HRU180N10K ID = 65 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD180N10K HRU180N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

Другие MOSFET... HFU5N60S , HFU5N60U , HFU5N65SA , HFW50N06A , HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , AON6414A , HRD50N06K , HRD72N06K , HRD80N06K , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K .

History: P261ALV | AO4404B

 

 
Back to Top

 


 
.