Справочник MOSFET. HRD80N06K

 

HRD80N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRD80N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 114 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRD80N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRD80N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  semihow
 hrd80n06k hru80n06k.pdf pdf_icon

HRD80N06K

Sep 2014BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD80N06K / HRU80N06K ID = 114 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD80N06K HRU80N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.

Другие MOSFET... HFW50N06A , HFW840 , HRA40N08K , HRA45N08K , HRD120N10K , HRD180N10K , HRD50N06K , HRD72N06K , 2SK3878 , HRD85N08K , HRF120N10K , HRF130N06K , HRF140N06K , HRF85N08K , HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K .

 

 
Back to Top

 


 
.