HRLD72N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRLD72N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для HRLD72N06
HRLD72N06 Datasheet (PDF)
hrld72n06.pdf

Mar 2023HRLD72N0660V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capabilityID 84 A Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal Cir
Другие MOSFET... HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , HRLD55N03K , 4435 , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , HRLF33N03K .
History: AM3447P | BRCS080N04ZC | NCE65T180
History: AM3447P | BRCS080N04ZC | NCE65T180



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent