HRLD72N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLD72N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для HRLD72N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD72N06 даташит

 ..1. Size:649K  semihow
 hrld72n06.pdf pdf_icon

HRLD72N06

Mar 2023 HRLD72N06 60V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 84 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Cir

Другие IGBT... HRLD125N06K, HRLD150N10K, HRLD1B8N10K, HRLD250N10K, HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K, HRLD55N03K, IRFP260, HRLD80N06K, HRLE320N03K, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K