Справочник MOSFET. HRLD72N06

 

HRLD72N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLD72N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 38.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRLD72N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD72N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:649K  semihow
 hrld72n06.pdf pdf_icon

HRLD72N06

Mar 2023HRLD72N0660V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capabilityID 84 A Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal Cir

Другие MOSFET... HRLD125N06K , HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , HRLD55N03K , 8205A , HRLD80N06K , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , HRLF33N03K .

History: IRF1503LPBF | HMS85N95 | BUZ100S | PDP3960 | KP8N60F | KHB5D0N50F | SQJ457EP

 

 
Back to Top

 


 
.