Справочник MOSFET. HRLD80N06K

 

HRLD80N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLD80N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HRLD80N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD80N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  semihow
 hrld80n06k hrlu80n06k.pdf pdf_icon

HRLD80N06K

June 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRLD80N06K / HRLU80N06K ID = 80 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD80N06K HRLU80N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие MOSFET... HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , HRLD55N03K , HRLD72N06 , 2SK3568 , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , HRLF33N03K , HRLF55N03K .

History: R6010MNX | TK5A65DA | HM40N10

 

 
Back to Top

 


 
.