HRLD80N06K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HRLD80N06K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для HRLD80N06K
HRLD80N06K Datasheet (PDF)
hrld80n06k hrlu80n06k.pdf

June 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRLD80N06K / HRLU80N06K ID = 80 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD80N06K HRLU80N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)
Другие MOSFET... HRLD150N10K , HRLD1B8N10K , HRLD250N10K , HRLD33N03K , HRLD370N10K , HRLD40N04K , HRLD55N03K , HRLD72N06 , 2SK3568 , HRLE320N03K , HRLF110N03K , HRLF125N06K , HRLF150N10K , HRLF180N10K , HRLF190N03K , HRLF33N03K , HRLF55N03K .
History: ST3421SRG | QM3022D | GSM7002 | QM3004M3 | 2SK4178-S27-AY | QM3022M6 | UPA2520T1H
History: ST3421SRG | QM3022D | GSM7002 | QM3004M3 | 2SK4178-S27-AY | QM3022M6 | UPA2520T1H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834