HRLD80N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLD80N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для HRLD80N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLD80N06K даташит

 ..1. Size:260K  semihow
 hrld80n06k hrlu80n06k.pdf pdf_icon

HRLD80N06K

June 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRLD80N06K / HRLU80N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD80N06K HRLU80N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие IGBT... HRLD150N10K, HRLD1B8N10K, HRLD250N10K, HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K, HRLD55N03K, HRLD72N06, 4435, HRLE320N03K, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K, HRLF55N03K