HRLE320N03K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HRLE320N03K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
HRLE320N03K Datasheet (PDF)
hrle320n03k.pdf

Jan 2016HRLE320N03K30V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Low Dense Cell DesignBVDSS 30 V Reliable and RuggedID 5A Advanced Trench Process TechnologyRDS(on), typ @10V 27 RDS(on), typ @4.5V 33 ApplicationPackage & Internal Circuit Power Management in Inverter SystemSOT-23 Synchronous Rectification DSGAbsolute Maximum Ratin
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: NCEP023N85T | SDU04N60 | HM60N03K | IRFB3256 | RUH1H150T | SE80250G | IRF9317
History: NCEP023N85T | SDU04N60 | HM60N03K | IRFB3256 | RUH1H150T | SE80250G | IRF9317



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent