HRLE320N03K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLE320N03K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HRLE320N03K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLE320N03K даташит

 ..1. Size:260K  semihow
 hrle320n03k.pdf pdf_icon

HRLE320N03K

Jan 2016 HRLE320N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID 5A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 27 RDS(on), typ @4.5V 33 Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System SOT-23 Synchronous Rectification D S G Absolute Maximum Ratin

Другие IGBT... HRLD1B8N10K, HRLD250N10K, HRLD33N03K, HRLD370N10K, HRLD40N04K, HRLD55N03K, HRLD72N06, HRLD80N06K, SPP20N60C3, HRLF110N03K, HRLF125N06K, HRLF150N10K, HRLF180N10K, HRLF190N03K, HRLF33N03K, HRLF55N03K, HRLF72N06