Справочник MOSFET. HRLO72N06

 

HRLO72N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLO72N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HRLO72N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLO72N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  semihow
 hrlo72n06.pdf pdf_icon

HRLO72N06

Mar 2023HRLO72N0660V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capabilityID 21 A Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal Cir

Другие MOSFET... HRLFS190N03K , HRLFS55N03K , HRLFS72N06P , HRLFS90N03K , HRLO110N03K , HRLO125N06K , HRLO180N10K , HRLO250N10K , 10N65 , HRLP125N06K , HRLP150N10K , HRLP250N10K , HRLP33N03K , HRLP370N10K , HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 .

History: WM02DN60M3 | NTD20P06LT4G | RFP6P08 | SIF160N040 | DMT10N60 | CS3N80A4 | WMK13N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.