HRLO72N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRLO72N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HRLO72N06 Datasheet (PDF)
hrlo72n06.pdf
Mar 2023HRLO72N0660V N-Channel Trench MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic LevelBVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capabilityID 21 A Enhanced Avalanche RuggednessRDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedRDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen FreeApplicationPackage & Internal Cir
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918