HRLO72N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLO72N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 785 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HRLO72N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLO72N06 даташит

 ..1. Size:424K  semihow
 hrlo72n06.pdf pdf_icon

HRLO72N06

Mar 2023 HRLO72N06 60V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Speed Power Switching, Logic Level BVDSS 60 V Enhanced Body diode dv/dt capability ID 21 A Enhanced Avalanche Ruggedness RDS(on), max @10V 7.2 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), max @4.5V 12.5 m Lead free, Halogen Free Application Package & Internal Cir

Другие IGBT... HRLFS190N03K, HRLFS55N03K, HRLFS72N06P, HRLFS90N03K, HRLO110N03K, HRLO125N06K, HRLO180N10K, HRLO250N10K, 4N60, HRLP125N06K, HRLP150N10K, HRLP250N10K, HRLP33N03K, HRLP370N10K, HRLP40N04K, HRLP55N03K, HRLP72N06