HRLP33N03K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRLP33N03K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HRLP33N03K
HRLP33N03K Datasheet (PDF)
hrlp33n03k.pdf
Sep 2018 HRLP33N03K 30V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Low Dense Cell Design, Logic Level BVDSS 30 V Reliable and Rugged ID (Silicon Limited) 150 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 2.7 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(on), typ @4.5V 3.2 m Application Package & Internal Circuit Po
hrlp370n10k.pdf
Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRLP370N10K ID = 25 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 53 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V Lower RDS(ON) : 33 (T
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918