HRLU370N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRLU370N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRLU370N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HRLU370N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLU370N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1029K  semihow
 hrld370n10k hrlu370n10k.pdf pdf_icon

HRLU370N10K

Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 m HRLD370N10K / HRLU370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD370N10K HRLU370N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 53 nC (Typ.) Extended S

Другие MOSFET... HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , 8N60 , HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K , HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K .

History: FDBL86563F085 | 10N60G-T2Q-T | HY3606B | OSG70R600DF

 

 
Back to Top

 


 
.