Справочник MOSFET. HRLW250N10K

 

HRLW250N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRLW250N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLW250N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  semihow
 hrlw250n10k.pdf pdf_icon

HRLW250N10K

Jan 2019 HRLW250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D2-PAK Synchronous Rectifi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMS690N15HG2 | NDP606B | WMS119N10LG2 | WMR05P04TS | HSBA6040 | HSBA4094 | WMS090DNV6LG4

 

 
Back to Top

 


 
.