HRLW250N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRLW250N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRLW250N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для HRLW250N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLW250N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  semihow
 hrlw250n10k.pdf pdf_icon

HRLW250N10K

Jan 2019 HRLW250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D2-PAK Synchronous Rectifi

Другие MOSFET... HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , HRLU370N10K , HRLU55N03K , HRLU80N06K , MMIS60R580P , HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K , HRP35N06K .

History: HY3708PS | FDBL86366F085 | OSG70R600DF | RJK0660DPA | 10N60G-T2Q-T | OSG70R600AF | HY3606B

 

 
Back to Top

 


 
.