HRLW250N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRLW250N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для HRLW250N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRLW250N10K даташит

 ..1. Size:850K  semihow
 hrlw250n10k.pdf pdf_icon

HRLW250N10K

Jan 2019 HRLW250N10K 100V N-Channel Trench MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit High Dense Cell Design BVDSS 100 V Reliable and Rugged ID 38 A Advanced Trench Process Technology RDS(on), typ @10V 20 m RDS(on), typ @4.5V 22 m Application Package & Internal Circuit Power Management in Inverter System D2-PAK Synchronous Rectifi

Другие IGBT... HRLP80N06K, HRLT1B0N10K, HRLU125N06K, HRLU150N10K, HRLU1B8N10K, HRLU370N10K, HRLU55N03K, HRLU80N06K, P60NF06, HRP100N08K, HRP130N06K, HRP140N06K, HRP180N10K, HRP30N04K, HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K