Справочник MOSFET. HRP30N04K

 

HRP30N04K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRP30N04K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP30N04K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  semihow
hrp30n04k.pdfpdf_icon

HRP30N04K

December 2014 BVDSS = 40 V RDS(on) typ = 2.5m HRP30N04K ID = 230 A 40V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 200 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 2.5 m (Typ.

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.