HRP58N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRP58N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HRP58N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRP58N06K даташит

 ..1. Size:873K  semihow
 hrp58n06k.pdf pdf_icon

HRP58N06K

Jan 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 4.7 m HRP58N06K ID = 140 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 4.7 m (Typ.) @VG

Другие IGBT... HRP33N04K, HRP35N04K, HRP35N06K, HRP370N10K, HRP40N08K, HRP45N06K, HRP45N08K, HRP56N08K, K2611, HRP70N06K, HRP72N06K, HRP80N06K, HRP80N08K, HRP85N06K, HRP85N08K, HRP88N08K, HRP90N75K