Справочник MOSFET. HRP58N06K

 

HRP58N06K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HRP58N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 210 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 140 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
   Время нарастания (tr): 90 ns
   Выходная емкость (Cd): 570 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HRP58N06K

 

 

HRP58N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:873K  semihow
hrp58n06k.pdf

HRP58N06K
HRP58N06K

Jan 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 4.7 m HRP58N06K ID = 140 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 4.7 m (Typ.) @VG

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top