Справочник MOSFET. HRS180N10K

 

HRS180N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRS180N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HRS180N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS180N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  semihow
 hrs180n10k.pdf pdf_icon

HRS180N10K

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 15 HRS180N10K ID = 65 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 15 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... HRP80N06K , HRP80N08K , HRP85N06K , HRP85N08K , HRP88N08K , HRP90N75K , HRS130N06K , HRS140N06K , IRF3205 , HRS370N10K , HRS45N08K , HRS70N06K , HRS80N08K , HRS85N08K , HRS88N08K , HRS90N75K , HRU120N10K .

History: GP28S50GN3P | IPD12CNE8NG

 

 
Back to Top

 


 
.