HRS180N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRS180N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HRS180N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS180N10K даташит

 ..1. Size:190K  semihow
 hrs180n10k.pdf pdf_icon

HRS180N10K

Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 15 HRS180N10K ID = 65 A 100V N-Channel Trench MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 15 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested

Другие IGBT... HRP80N06K, HRP80N08K, HRP85N06K, HRP85N08K, HRP88N08K, HRP90N75K, HRS130N06K, HRS140N06K, IRF3205, HRS370N10K, HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K