HRS180N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HRS180N10K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для HRS180N10K
HRS180N10K Datasheet (PDF)
hrs180n10k.pdf

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 15 HRS180N10K ID = 65 A100V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 15 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested
Другие MOSFET... HRP80N06K , HRP80N08K , HRP85N06K , HRP85N08K , HRP88N08K , HRP90N75K , HRS130N06K , HRS140N06K , IRF3205 , HRS370N10K , HRS45N08K , HRS70N06K , HRS80N08K , HRS85N08K , HRS88N08K , HRS90N75K , HRU120N10K .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor