HRS370N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRS370N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HRS370N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS370N10K даташит

 ..1. Size:189K  semihow
 hrs370n10k.pdf pdf_icon

HRS370N10K

Jan 2015 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 HRS370N10K ID = 25 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested

Другие IGBT... HRP80N08K, HRP85N06K, HRP85N08K, HRP88N08K, HRP90N75K, HRS130N06K, HRS140N06K, HRS180N10K, IRF740, HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, HRU180N10K