Справочник MOSFET. HRS370N10K

 

HRS370N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRS370N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HRS370N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS370N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  semihow
 hrs370n10k.pdf pdf_icon

HRS370N10K

Jan 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRS370N10K ID = 25 A60V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... HRP80N08K , HRP85N06K , HRP85N08K , HRP88N08K , HRP90N75K , HRS130N06K , HRS140N06K , HRS180N10K , IRF740 , HRS45N08K , HRS70N06K , HRS80N08K , HRS85N08K , HRS88N08K , HRS90N75K , HRU120N10K , HRU180N10K .

History: PX567JZ | NCEAP055N12D | MTC3588BDFA6

 

 
Back to Top

 


 
.