HRS70N06K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRS70N06K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 75 ns
Выходная емкость (Cd): 420 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO220F
HRS70N06K Datasheet (PDF)
..1. Size:149K semihow
hrs70n06k.pdf
hrs70n06k.pdf
December 2014BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRS70N06K ID = 80 A60V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 5.6 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Test
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
