HRS70N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRS70N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HRS70N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS70N06K даташит

 ..1. Size:149K  semihow
 hrs70n06k.pdf pdf_icon

HRS70N06K

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRS70N06K ID = 80 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 5.6 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Test

Другие IGBT... HRP85N08K, HRP88N08K, HRP90N75K, HRS130N06K, HRS140N06K, HRS180N10K, HRS370N10K, HRS45N08K, 20N60, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, HRU180N10K, HRU50N06K, HRU72N06K