Справочник MOSFET. HRS80N08K

 

HRS80N08K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRS80N08K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HRS80N08K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS80N08K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  semihow
 hrs80n08k.pdf pdf_icon

HRS80N08K

December 2014BVDSS = 80 VRDS(on) typ HRS80N08K ID = 120 A80V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 60nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.7 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Test

Другие MOSFET... HRP88N08K , HRP90N75K , HRS130N06K , HRS140N06K , HRS180N10K , HRS370N10K , HRS45N08K , HRS70N06K , IRF540 , HRS85N08K , HRS88N08K , HRS90N75K , HRU120N10K , HRU180N10K , HRU50N06K , HRU72N06K , HRU80N06K .

History: SWD540 | MI4800 | FDBL0110N60 | RU55200Q | NTR1P02L | IRL3715S | NTTFS3A08PZ

 

 
Back to Top

 


 
.