Справочник MOSFET. HRU180N10K

 

HRU180N10K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HRU180N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 133 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 280 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для HRU180N10K

 

 

HRU180N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  semihow
 hrd180n10k hru180n10k.pdf

HRU180N10K HRU180N10K

Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ =15 HRD180N10K / HRU180N10K ID = 65 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD180N10K HRU180N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) :

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRFU3410PBF

 

 
Back to Top