HRU180N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRU180N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HRU180N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRU180N10K даташит

 ..1. Size:260K  semihow
 hrd180n10k hru180n10k.pdf pdf_icon

HRU180N10K

Sep 2015 BVDSS = 100 V RDS(on) typ =15 HRD180N10K / HRU180N10K ID = 65 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD180N10K HRU180N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 85 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие IGBT... HRS370N10K, HRS45N08K, HRS70N06K, HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, IRF640, HRU50N06K, HRU72N06K, HRU80N06K, HRW370N10K, HN75N09AP, TMU6N70, TMD6N70G, TMU6N70G