HRU80N06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRU80N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 114 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для HRU80N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRU80N06K даташит

 ..1. Size:266K  semihow
 hrd80n06k hru80n06k.pdf pdf_icon

HRU80N06K

Sep 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ HRD80N06K / HRU80N06K ID = 114 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD80N06K HRU80N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 6.

Другие IGBT... HRS80N08K, HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, HRU180N10K, HRU50N06K, HRU72N06K, IRFB4110, HRW370N10K, HN75N09AP, TMU6N70, TMD6N70G, TMU6N70G, OSG07N65AF, OSG07N65DF, OSG07N65FF