Справочник MOSFET. HRU80N06K

 

HRU80N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRU80N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 114 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для HRU80N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRU80N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  semihow
 hrd80n06k hru80n06k.pdf pdf_icon

HRU80N06K

Sep 2014BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRD80N06K / HRU80N06K ID = 114 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD80N06K HRU80N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 90 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.

Другие MOSFET... HRS80N08K , HRS85N08K , HRS88N08K , HRS90N75K , HRU120N10K , HRU180N10K , HRU50N06K , HRU72N06K , IRF640N , HRW370N10K , HN75N09AP , TMU6N70 , TMD6N70G , TMU6N70G , OSG07N65AF , OSG07N65DF , OSG07N65FF .

History: HRU180N10K | SML50A19

 

 
Back to Top

 


 
.