HRW370N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRW370N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для HRW370N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRW370N10K даташит

 ..1. Size:251K  semihow
 hrw370n10k.pdf pdf_icon

HRW370N10K

Oct 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = 30 HRW370N10K ID = 25 A 100V N-Channel Trench MOSFET D2-PAK FEATURES 2 Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested

Другие IGBT... HRS85N08K, HRS88N08K, HRS90N75K, HRU120N10K, HRU180N10K, HRU50N06K, HRU72N06K, HRU80N06K, IRF640N, HN75N09AP, TMU6N70, TMD6N70G, TMU6N70G, OSG07N65AF, OSG07N65DF, OSG07N65FF, OSG07N65PF