HRW370N10K - аналоги и даташиты транзистора

 

HRW370N10K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HRW370N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для HRW370N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRW370N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  semihow
 hrw370n10k.pdf pdf_icon

HRW370N10K

Oct 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ = 30 HRW370N10K ID = 25 A100V N-Channel Trench MOSFETD2-PAKFEATURES2 Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology3 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 30 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... HRS85N08K , HRS88N08K , HRS90N75K , HRU120N10K , HRU180N10K , HRU50N06K , HRU72N06K , HRU80N06K , IRFP260N , HN75N09AP , TMU6N70 , TMD6N70G , TMU6N70G , OSG07N65AF , OSG07N65DF , OSG07N65FF , OSG07N65PF .

History: RJK2555DPA | NCE6009AS

 

 
Back to Top

 


 
.