Справочник MOSFET. TMU6N70

 

TMU6N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU6N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.65 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для TMU6N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU6N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  trinnotech
 tmd6n70g tmu6n70g tmd6n70 tmu6n70.pdf pdf_icon

TMU6N70

TMD6N70(G)/TMU6N70(G) Features VDSS = 770 V @Tjmax Low gate charge ID = 5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N70/TMU6N70 D-PAK/I-PAK TMD6N70/TMU6N70 RoHS TMD6N70G/TMU6N70G D-PAK/I-PAK

 9.1. Size:603K  trinnotech
 tmd6n65g tmu6n65g.pdf pdf_icon

TMU6N70

TMD6N65G/TMU6N65G Features VDSS = 715 V @Tjmax Low gate charge ID = 5.5A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD6N65/TMU6N65 D-PAK/I-PAK TMD6N65/TMU6N65 RoHS TMD6N65G/TMU6N65G D-PAK/I-PAK TM

Другие MOSFET... HRS90N75K , HRU120N10K , HRU180N10K , HRU50N06K , HRU72N06K , HRU80N06K , HRW370N10K , HN75N09AP , IRF3710 , TMD6N70G , TMU6N70G , OSG07N65AF , OSG07N65DF , OSG07N65FF , OSG07N65PF , OSG50R1K5AF , OSG50R1K5DF .

History: CMP80N06 | 2N5654 | NDB7060 | MS5N100FT | SM8A03NSFP | SSG4434N | TPC6102

 

 
Back to Top

 


 
.