STM6913A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STM6913A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.2 A
Общий заряд затвора (Qg): 5.8 nC
Выходная емкость (Cd): 142 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP8
STM6913A Datasheet (PDF)
stm6913a.pdf
GreenProductS TM6913AS amHop Microelectronics C orp.Aug. 10 2012 ver1.2Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorffffPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.18 @ VGS = 10V30V 8.2AS urface Mount Package.ff25 @ VGS =4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5SO-811 2 3 4
stm6914.pdf
GreenProductSTM6914aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.32 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 6.5A52 @ VGS=4.5V D2 5 4 G 26D2 3S 2D1 7 2G 1SO-8D1 8 1S 11ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
stm6916.pdf
GreenProductSTM6916aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 10A16 @ VGS=4.5V 5 4D2 G 26 3D2 S 2D1 7 2 G 1SO-88 1D1 S 11ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
stm6915.pdf
S TM6915S amHop Microelectronics C orp.Dec, 12 2006Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.19 @ VG S = 10V30V 8.5AS urface Mount Package.28 @ VG S = 4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3 4S 1 G 1 S 2 G 2ABS OLUTE MAX
stm6912.pdf
S T M6912S amHop Microelectronics C orp. Aug,18 2005 ver 1.2Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable.32 @ V G S = 10V30V6AS urface Mount Package.57 @ V G S = 4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3 4S 1 G 1 S 2 G 2
Другие MOSFET... STM6920 , FDMS7694 , STM6916 , FDMS7698 , STM6915 , FDMS7700S , STM6914 , FDMS8023S , STP75NF75 , FDMS8025S , STM6912 , FDMS8026S , STM6718 , FDMS8027S , STM6716 , FDMS8460 , FDMS86101 .
History: AM4936N
