STM6913A - описание и поиск аналогов

 

STM6913A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STM6913A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для STM6913A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM6913A даташит

 ..1. Size:113K  samhop
stm6913a.pdfpdf_icon

STM6913A

Green Product S TM6913A S amHop Microelectronics C orp. Aug. 10 2012 ver1.2 Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor ff ff PR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ES S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 18 @ VGS = 10V 30V 8.2A S urface Mount Package. f f 25 @ VGS =4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 SO-8 1 1 2 3 4

 8.1. Size:134K  samhop
stm6914.pdfpdf_icon

STM6913A

Green Product STM6914 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 32 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 6.5A 52 @ VGS=4.5V D2 5 4 G 2 6 D2 3 S 2 D1 7 2 G 1 SO-8 D1 8 1 S 1 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.2. Size:136K  samhop
stm6916.pdfpdf_icon

STM6913A

Green Product STM6916 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 12.5 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 10A 16 @ VGS=4.5V 5 4 D2 G 2 6 3 D2 S 2 D1 7 2 G 1 SO-8 8 1 D1 S 1 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.3. Size:116K  samhop
stm6915.pdfpdf_icon

STM6913A

S TM6915 S amHop Microelectronics C orp. Dec, 12 2006 Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 19 @ VG S = 10V 30V 8.5A S urface Mount Package. 28 @ VG S = 4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 1 2 3 4 S 1 G 1 S 2 G 2 ABS OLUTE MAX

Другие MOSFET... STM6920 , FDMS7694 , STM6916 , FDMS7698 , STM6915 , FDMS7700S , STM6914 , FDMS8023S , 7N65 , FDMS8025S , STM6912 , FDMS8026S , STM6718 , FDMS8027S , STM6716 , FDMS8460 , FDMS86101 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.