Справочник MOSFET. OSG60R070HSF

 

OSG60R070HSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R070HSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 71.7 nC
   Время нарастания (tr): 52.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 337 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OSG60R070HSF

 

 

OSG60R070HSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  oriental semi
osg60r070hsf.pdf

OSG60R070HSF
OSG60R070HSF

 4.1. Size:935K  oriental semi
osg60r070ht3f.pdf

OSG60R070HSF
OSG60R070HSF

OSG60R070HT3F Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme swit

 4.2. Size:398K  oriental semi
osg60r070hf.pdf

OSG60R070HSF
OSG60R070HSF

OSG60R070HF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 4.3. Size:931K  oriental semi
osg60r070ht3zf.pdf

OSG60R070HSF
OSG60R070HSF

OSG60R070HT3ZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery d

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK1527-E1-E

 

 
Back to Top