OSG60R074FSZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R074FSZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 354 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для OSG60R074FSZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R074FSZF даташит

 ..1. Size:923K  oriental semi
 osg60r074fszf.pdf pdf_icon

OSG60R074FSZF

OSG60R074FSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery di

 4.1. Size:1106K  1
 osg60r074hzf osg60r074fzf.pdf pdf_icon

OSG60R074FSZF

OSG60R074xZF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Ultra-fast and robust body diode PC power Low R & FOM Server power supply DS(on) Excellent low switching loss Telecom Excellent stability and uniformity Solar invertor Easy to drive Super charger for automobiles OSG60R074HZF, OSG60R074FZF , Enhanc

 4.2. Size:1017K  oriental semi
 osg60r074fzf.pdf pdf_icon

OSG60R074FSZF

OSG60R074FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

 5.1. Size:924K  oriental semi
 osg60r074hszf.pdf pdf_icon

OSG60R074FSZF

OSG60R074HSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery di

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R069HZF, OSG60R070FF, OSG60R070HF, OSG60R070HSF, OSG60R070HT3F, OSG60R070HT3ZF, OSG60R070KT3ZF, OSG60R070PT3ZF, IRF730, OSG60R074HSZF, OSG60R074JT3ZF, OSG60R074KSZF, OSG60R075HSZF, OSG60R092FF, OSG60R092HF, OSG60R092HSF, OSG60R092HT3ZF