OSG60R096HSF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG60R096HSF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG60R096HSF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 261 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 56.6 nC
   Время нарастания (tr): 34.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 280.1 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.096 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG60R096HSF