OSG60R099HT3F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R099HT3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OSG60R099HT3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099HT3F даташит

 ..1. Size:945K  oriental semi
osg60r099ht3f.pdfpdf_icon

OSG60R099HT3F

 4.1. Size:409K  oriental semi
osg60r099hszf.pdfpdf_icon

OSG60R099HT3F

OSG60R099HSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery di

 4.2. Size:410K  oriental semi
osg60r099hf.pdfpdf_icon

OSG60R099HT3F

OSG60R099HF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 4.3. Size:980K  oriental semi
osg60r099hezf.pdfpdf_icon

OSG60R099HT3F

Другие IGBT... OSG60R096HSF, OSG60R096KSF, OSG60R096PSF, OSG60R099FEZF, OSG60R099FT3F, OSG60R099HEZF, OSG60R099HF, OSG60R099HSZF, IRF3710, OSG60R099JF, OSG60R099KEZF, OSG60R099KSZF, OSG60R099KT3F, OSG60R099PEZF, OSG60R108FZF, OSG60R108HSZF, OSG60R108HT3ZF