OSG60R099JF datasheet, аналоги, параметры транзистора

OSG60R099JF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R099JF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: PDFN8X8

Аналог (замена) для OSG60R099JF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

OSG60R099JF даташит

..1. Size:371K oriental semi
osg60r099jf.pdf pdf_icon

OSG60R099JF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

5.1. Size:1006K oriental semi
osg60r099pezf.pdf pdf_icon