Справочник MOSFET. OSG60R099JF

 

OSG60R099JF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R099JF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8X8
 

 Аналог (замена) для OSG60R099JF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099JF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  oriental semi
 osg60r099jf.pdf pdf_icon

OSG60R099JF

OSG60R099JF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 5.1. Size:1006K  oriental semi
 osg60r099pezf.pdf pdf_icon

OSG60R099JF

 5.2. Size:945K  oriental semi
 osg60r099ht3f.pdf pdf_icon

OSG60R099JF

 5.3. Size:902K  oriental semi
 osg60r099kt3f.pdf pdf_icon

OSG60R099JF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... OSG60R096KSF , OSG60R096PSF , OSG60R099FEZF , OSG60R099FT3F , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , IRFB4227 , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF , OSG60R099KT3F , OSG60R099PEZF , OSG60R108FZF , OSG60R108HSZF , OSG60R108HT3ZF , OSG60R108HZF .

History: FTK7002D | ME4454-G | SWT38N70K | BLP032N06-Q | STW69N65M5-4 | IPD60R400CE | AOY2610E

 

 
Back to Top

 


 
.