Справочник MOSFET. OSG60R099JF

 

OSG60R099JF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R099JF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223.9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099JF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  oriental semi
osg60r099jf.pdfpdf_icon

OSG60R099JF

OSG60R099JF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 5.1. Size:1006K  oriental semi
osg60r099pezf.pdfpdf_icon

OSG60R099JF

 5.2. Size:945K  oriental semi
osg60r099ht3f.pdfpdf_icon

OSG60R099JF

 5.3. Size:902K  oriental semi
osg60r099kt3f.pdfpdf_icon

OSG60R099JF

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFK27N80Q | ZXMN10A07FTC

 

 
Back to Top

 


 
.