Справочник MOSFET. OSG60R099KT3F

 

OSG60R099KT3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG60R099KT3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099KT3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  oriental semi
osg60r099kt3f.pdfpdf_icon

OSG60R099KT3F

 4.1. Size:330K  oriental semi
osg60r099kszf.pdfpdf_icon

OSG60R099KT3F

OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove

 4.2. Size:1007K  oriental semi
osg60r099kezf.pdfpdf_icon

OSG60R099KT3F

 5.1. Size:1006K  oriental semi
osg60r099pezf.pdfpdf_icon

OSG60R099KT3F

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.