OSG60R099KT3F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSG60R099KT3F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для OSG60R099KT3F
OSG60R099KT3F Datasheet (PDF)
osg60r099kszf.pdf

OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove
Другие MOSFET... OSG60R099FT3F , OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF , IRF9540 , OSG60R099PEZF , OSG60R108FZF , OSG60R108HSZF , OSG60R108HT3ZF , OSG60R108HZF , OSG60R108JZF , OSG60R108KSZF , OSG60R108KZF .
History: AP2762I-A-HF | RSD050N06 | LSH50R160HT | NDP6030PL | BSP603S2L | IPB180N08S4-02 | STD3N40K3
History: AP2762I-A-HF | RSD050N06 | LSH50R160HT | NDP6030PL | BSP603S2L | IPB180N08S4-02 | STD3N40K3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent