OSG60R099PEZF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: OSG60R099PEZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для OSG60R099PEZF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
OSG60R099PEZF даташит
osg60r099kszf.pdf
OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove
Другие IGBT... OSG60R099HEZF, OSG60R099HF, OSG60R099HSZF, OSG60R099HT3F, OSG60R099JF, OSG60R099KEZF, OSG60R099KSZF, OSG60R099KT3F, P55NF06, OSG60R108FZF, OSG60R108HSZF, OSG60R108HT3ZF, OSG60R108HZF, OSG60R108JZF, OSG60R108KSZF, OSG60R108KZF, OSG60R108PZF
History: KNP2803A | KNP2708A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor