OSG60R099PEZF - аналоги и даташиты транзистора

 

OSG60R099PEZF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: OSG60R099PEZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 261 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для OSG60R099PEZF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R099PEZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1006K  oriental semi
 osg60r099pezf.pdf pdf_icon

OSG60R099PEZF

 5.1. Size:945K  oriental semi
 osg60r099ht3f.pdf pdf_icon

OSG60R099PEZF

 5.2. Size:902K  oriental semi
 osg60r099kt3f.pdf pdf_icon

OSG60R099PEZF

 5.3. Size:330K  oriental semi
 osg60r099kszf.pdf pdf_icon

OSG60R099PEZF

OSG60R099KSZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recove

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... OSG60R099HEZF , OSG60R099HF , OSG60R099HSZF , OSG60R099HT3F , OSG60R099JF , OSG60R099KEZF , OSG60R099KSZF , OSG60R099KT3F , P55NF06 , OSG60R108FZF , OSG60R108HSZF , OSG60R108HT3ZF , OSG60R108HZF , OSG60R108JZF , OSG60R108KSZF , OSG60R108KZF , OSG60R108PZF .

History: MTDN5820Z6

 

 
Back to Top

 


 
.