Справочник MOSFET. OSG60R108HSZF

 

OSG60R108HSZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R108HSZF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 63.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 226.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для OSG60R108HSZF

 

 

OSG60R108HSZF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:880K  oriental semi
osg60r108hszf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

 4.1. Size:958K  oriental semi
osg60r108hzf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

 4.2. Size:917K  oriental semi
osg60r108ht3zf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

 5.1. Size:937K  oriental semi
osg60r108kzf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

 5.2. Size:1013K  oriental semi
osg60r108pzf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

 5.3. Size:859K  oriental semi
osg60r108kszf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

 5.4. Size:917K  oriental semi
osg60r108jzf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

 5.5. Size:721K  oriental semi
osg60r108fzf.pdf

OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF

OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top