OSG60R108HSZF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: OSG60R108HSZF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 219 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 56.7 nC
Время нарастания (tr): 63.1 ns
Выходная емкость (Cd): 226.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.108 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для OSG60R108HSZF
OSG60R108HSZF Datasheet (PDF)
5.5. Size:721K oriental semi
osg60r108fzf.pdf
osg60r108fzf.pdf
OSG60R108FZF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Z series is integrated with fast recovery dio
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
