OSG60R108KSZF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R108KSZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 226.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.108 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для OSG60R108KSZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R108KSZF даташит

 ..1. Size:859K  oriental semi
 osg60r108kszf.pdf pdf_icon

OSG60R108KSZF

 4.1. Size:937K  oriental semi
 osg60r108kzf.pdf pdf_icon

OSG60R108KSZF

 5.1. Size:880K  oriental semi
 osg60r108hszf.pdf pdf_icon

OSG60R108KSZF

 5.2. Size:958K  oriental semi
 osg60r108hzf.pdf pdf_icon

OSG60R108KSZF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R099KSZF, OSG60R099KT3F, OSG60R099PEZF, OSG60R108FZF, OSG60R108HSZF, OSG60R108HT3ZF, OSG60R108HZF, OSG60R108JZF, AON7408, OSG60R108KZF, OSG60R108PZF, OSG60R140FSZF, OSG60R150FF, OSG60R150HF, OSG60R150JF, OSG60R150KF, OSG60R150PF