Справочник MOSFET. OSG60R150FF

 

OSG60R150FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG60R150FF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG60R150FF

 

 

OSG60R150FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  oriental semi
osg60r150ff.pdf

OSG60R150FF
OSG60R150FF

 5.1. Size:831K  oriental semi
osg60r150kf.pdf

OSG60R150FF
OSG60R150FF

OSG60R150KF Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description The GreenMOS high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge. It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability. The GreenMOS Generic series is optimized for extreme switch

 5.2. Size:970K  oriental semi
osg60r150jf.pdf

OSG60R150FF
OSG60R150FF

 5.3. Size:983K  oriental semi
osg60r150pf.pdf

OSG60R150FF
OSG60R150FF

 5.4. Size:1007K  oriental semi
osg60r150hf.pdf

OSG60R150FF
OSG60R150FF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top