OSG60R180DT3F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG60R180DT3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R180DT3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG60R180DT3F даташит

 ..1. Size:960K  oriental semi
 osg60r180dt3f.pdf pdf_icon

OSG60R180DT3F

 5.1. Size:899K  oriental semi
 osg60r180ksf.pdf pdf_icon

OSG60R180DT3F

 5.2. Size:993K  oriental semi
 osg60r180kf.pdf pdf_icon

OSG60R180DT3F

 5.3. Size:916K  oriental semi
 osg60r180ft3f.pdf pdf_icon

OSG60R180DT3F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG60R108KZF, OSG60R108PZF, OSG60R140FSZF, OSG60R150FF, OSG60R150HF, OSG60R150JF, OSG60R150KF, OSG60R150PF, IRFP260, OSG60R180FSF-NB, OSG60R180FT3F, OSG60R180HF, OSG60R180IF, OSG60R180KF, OSG60R180PF, OSG60R190DT3ZF, OSG60R190DTF