OSG60R180DT3F - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

OSG60R180DT3F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: OSG60R180DT3F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG60R180DT3F

OSG60R180DT3F Datasheet (PDF)

..1. Size:960K oriental semi
osg60r180dt3f.pdf

5.1. Size:899K oriental semi
osg60r180ksf.pdf

5.2. Size:993K oriental semi
osg60r180kf.pdf

5.3. Size:916K oriental semi
osg60r180ft3f.pdf

5.4. Size:873K oriental semi
osg60r180fsf.pdf

5.5. Size:990K oriental semi
osg60r180pf.pdf

5.6. Size:1029K oriental semi
osg60r180ff.pdf

5.7. Size:988K oriental semi
osg60r180if.pdf

5.8. Size:902K oriental semi
osg60r180fsf-nb.pdf

5.9. Size:1016K oriental semi
osg60r180psf osg60r180fsf osg60r180isf osg60r180hsf osg60r180ksf.pdf

OSG60R180xSF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG60R180PSF/FSF/ISF/HSF/KSF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG60

5.10. Size:897K oriental semi
osg60r180isf.pdf